金刚石半导体是一种基于金刚石材料制造的功率电子器件。它利用金刚石的独特性质，如高热导率、高电子迁移率和高击穿场强等特点，来实现高效率和高功率的电能转换和控制。人工智能学院于10月31日举办了“青年学者学术论坛”。此次论坛采取线上形式进行，论坛邀请张彤老师作专场报告，院全体专任教师参加线上学术报告会。

纵向导通型金刚石功率器件能够突破横向器件有限的功率处理能力，是提高电能利用效率的关键元器件之一。然而，现有纵向导通金刚石肖特基二极管同时实现低导通电压、高耐压的器件结构方面仍需要突破。张老师研究项目利用n型GaOx填充凹槽形成混合异质PN/肖特基结构并制备异质PN结倾斜台面终端结构，实现具有良好正向导通特性及反向关态特性的功率二极管器件。

张老师基于前期研究基础，通过研究混合异质PN/肖特基结构设计、GaOx/Diamond异质PN结倾斜台面终端结构设计及GaOx材料生长调控，探讨金刚石表面晶格损伤对GaOx/Diamond异质结导电机制的影响、异质PN结倾斜台面终端对边缘电场的调控机制以及金刚石晶面对GaOx/Diamond异质PN结接触特性的影响机理，为同时实现二极管低导通电压和关态耐压提供新思路和方案，为新型纵向型功率器件的研制提供实验参考。