人工智能学院青年学者学术论坛预告

作者: 时间:2023-10-30 点击数:

报告题目:异质PN结复合终端纵向导通金刚石功率二极管的研究

汇 报 人:张彤

报告时间:20231031日(周二)20:30

报告形式:腾讯会议,350-944-402

内容简介:纵向导通型金刚石功率器件能够突破横向器件有限的功率处理能力,是提高电能利用效率的关键元器件之一。然而,现有纵向导通金刚石肖特基二极管同时实现低导通电压、高耐压的器件结构方面仍需要突破。本项目拟利用n型GaOx填充凹槽形成混合异质PN/肖特基结构并制备异质PN结倾斜台面终端结构,实现具有良好正向导通特性及反向关态特性的功率二极管器件。基于前期研究基础,通过研究混合异质PN/肖特基结构设计、GaOx/Diamond异质PN结倾斜台面终端结构设计及GaOx材料生长调控,探讨金刚石表面晶格损伤对GaOx/Diamond异质结导电机制的影响、异质PN结倾斜台面终端对边缘电场的调控机制以及金刚石晶面对GaOx/Diamond异质PN结接触特性的影响机理,为同时实现二极管低导通电压和关态耐压提供新思路和方案,为新型纵向型功率器件的研制提供实验参考。

人工智能学院

20231030


Copyright © 人工智能学院版权  所有地址:枣庄市市中区北安路  邮政编码:277160  电子邮箱:ai@uzz.edu.cn     电话:0632-3786207 鲁ICP备05047007号